Tipo N

VERSIÓN 2.0 DE TECNOLOGÍAS CELULARES N-TOPCON

La celda TOPCon aplica tecnología de contacto de pasivación de última generación y alta eficiencia, y utiliza una capa de óxido de túnel micro-nano y una estructura funcional laminada de película de silicio microcristalino de portador selectivo en la parte posterior. Esta estructura innovadora demuestra una mejora bidireccional en el rendimiento de pasivación y la conductividad eléctrica, lo que aporta mejoras significativas en la eficiencia de conversión de celdas y el rendimiento de generación de energía. La eficiencia más alta de la celda HOT2.0 de tipo N es cercana al 25% en la producción en masa, lo que muestra amplias perspectivas de aplicación.

En resumen, TOPCon y HIT logran mejoras de eficiencia a través de la pasivación para reducir la cantidad de tasas de recombinación del subsuelo. El primero utiliza capas de óxido de efecto túnel y HIT utiliza una película de silicio amorfo intrínseco. Las diferencias en los métodos conducen a los respectivos procesos de fabricación, lo que resulta en la diferencia en el costo comercial entre ambos.

MAYOR BIFACIALIDAD CON MÁS GANANCIAS DE POTENCIA

El factor bifacial o módulo PERC tradicional es del 70% mientras que el del módulo TOPCon se modifica hasta en un 85%. La ganancia de potencia correspondiente es de alrededor del 2,03%. Según la fórmula, la ganancia de potencia del módulo PERC tradicional debido a la ganancia de potencia en la parte trasera es del 9,45%, mientras que la de un módulo TOPCon es un 2% más debido al aumento del factor bifacial del 15% (en condiciones STC y reflectividad media del suelo). La potencia de salida tipo N de Cortex aumentará con el mejor coeficiente de temperatura (0,75% más alto en comparación con PERC). En el mismo entorno externo, la temperatura de funcionamiento de Tiger Neo es más baja (>1% en comparación con el mismo tipo P de especificación) y la pérdida de calor es muy reducido En condiciones de alta temperatura, la ventaja se expandirá aún más (~ 2% más que el tipo P). La garantía de energía puede alcanzar los 30 años en comparación con un módulo tipo P tradicional. La degradación del primer año es inferior al 1%, lo que significa que se garantiza que la potencia de salida en el año 30 será de al menos el 87,4%. Contraste de ganancia de potencia debido al aumento del factor bifacial.